Le cœur de l’innovation technologique réside dans la mise à niveau des matériaux. Les matériaux semi-conducteurs de troisième génération tels que le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN) font l'objet de recherches et de développement en raison de leur excellente résistance à la tension et de leurs caractéristiques haute fréquence.
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