Composants haute tension : gardiens efficaces de l’électricité à l’ère des nouvelles énergies et de l’IA

Le cœur de l’innovation technologique réside dans la mise à niveau des matériaux. Les matériaux semi-conducteurs de troisième génération tels que le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN) font l'objet de recherches et de développement en raison de leur excellente résistance à la tension et de leurs caractéristiques haute fréquence. Récemment, une équipe nationale a développé des dispositifs d'alimentation SiC 10 kV-15 kV de pointe au niveau international qui peuvent être directement connectés aux réseaux électriques moyenne tension, fournissant ainsi des équipements clés pour les centres de données et l'intégration de nouveaux réseaux énergétiques. Dans le même temps, les géants internationaux intensifient leur coopération pour développer une nouvelle génération de dispositifs GaN 650 V, visant à améliorer l'efficacité énergétique dans divers domaines, de la recharge rapide des véhicules électriques aux centres de données d'IA.

Cescomposantssont la pierre angulaire de la construction d’un nouveau type de système électrique. Les résistances haute tension sont utilisées pour une division précise de la tension et la protection des onduleurs photovoltaïques et des stations de recharge ; La nouvelle puce de référence de tension intégrée haute tension peut fournir une « règle » très stable pour une mesure de précision. On peut prévoir que des composants haute tension plus efficaces et plus compacts continueront à injecter de l'énergie de base dans la révolution énergétique et l'amélioration de la puissance de calcul.